Mursal et al. 2026. PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS a-SiGe-H DENGAN METODE PECVD DAN HWC-PECVD: PENGARUH LAJU ALIRAN GAS GeH4 TERHADAP SIFAT OPTOELEKTRONIK. Jurnal Sains Materi Indonesia. 7, 4 (Oct. 2026), 29–34.