(1)
Mursal; I. Usman; T. Winata; Sukirno; M. Barmawi. PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS a-SiGe-H DENGAN METODE PECVD DAN HWC-PECVD: PENGARUH LAJU ALIRAN GAS GeH4 TERHADAP SIFAT OPTOELEKTRONIK. j. sains materi indonesia 2026, 7, 29-34.