Mursal, I. Usman, T. Winata, Sukirno, & M. Barmawi. (2026). PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS a-SiGe-H DENGAN METODE PECVD DAN HWC-PECVD: PENGARUH LAJU ALIRAN GAS GeH4 TERHADAP SIFAT OPTOELEKTRONIK. Jurnal Sains Materi Indonesia, 7(4), 29–34. Retrieved from https://ejournal.brin.go.id/jsmi/article/view/6177