MURSAL; I. USMAN; T. WINATA; SUKIRNO; M. BARMAWI. PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS a-SiGe-H DENGAN METODE PECVD DAN HWC-PECVD: PENGARUH LAJU ALIRAN GAS GeH4 TERHADAP SIFAT OPTOELEKTRONIK. Jurnal Sains Materi Indonesia, [S. l.], v. 7, n. 4, p. 29–34, 2026. Disponível em: https://ejournal.brin.go.id/jsmi/article/view/6177. Acesso em: 26 oct. 2026.