Mursal (2026) “PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS a-SiGe-H DENGAN METODE PECVD DAN HWC-PECVD: PENGARUH LAJU ALIRAN GAS GeH4 TERHADAP SIFAT OPTOELEKTRONIK”, Jurnal Sains Materi Indonesia, 7(4), pp. 29–34. Available at: https://ejournal.brin.go.id/jsmi/article/view/6177 (Accessed: 26 October 2026).