[1]
Mursal, I. Usman, T. Winata, Sukirno, and M. Barmawi, “PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS a-SiGe-H DENGAN METODE PECVD DAN HWC-PECVD: PENGARUH LAJU ALIRAN GAS GeH4 TERHADAP SIFAT OPTOELEKTRONIK”, j. sains materi indonesia, vol. 7, no. 4, pp. 29–34, Oct. 2026.