Mursal, et al. “PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS a-SiGe-H DENGAN METODE PECVD DAN HWC-PECVD: PENGARUH LAJU ALIRAN GAS GeH4 TERHADAP SIFAT OPTOELEKTRONIK”. Jurnal Sains Materi Indonesia, vol. 7, no. 4, Oct. 2026, pp. 29-34, https://ejournal.brin.go.id/jsmi/article/view/6177.