Mursal, I. Usman, T. Winata, Sukirno, and M. Barmawi. “PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS a-SiGe-H DENGAN METODE PECVD DAN HWC-PECVD: PENGARUH LAJU ALIRAN GAS GeH4 TERHADAP SIFAT OPTOELEKTRONIK”. Jurnal Sains Materi Indonesia 7, no. 4 (October 21, 2026): 29–34. Accessed October 26, 2026. https://ejournal.brin.go.id/jsmi/article/view/6177.