Mursal, I. Usman, T. Winata, Sukirno, M. Barmawi. PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS a-SiGe-H DENGAN METODE PECVD DAN HWC-PECVD: PENGARUH LAJU ALIRAN GAS GeH4 TERHADAP SIFAT OPTOELEKTRONIK. j. sains materi indonesia [Internet]. 2026 Oct. 21 [cited 2026 Oct. 26];7(4):29-34. Available from: https://ejournal.brin.go.id/jsmi/article/view/6177