FABRIKASI LAPISAN TIPIS CuInS2 MENGGUNAKAN METODA REACTIVE SPUTTERING

Authors

  • Mohammad Mustafa Sarinanto Direktorat Teknologi Informasi dan Elektronika BPPT

Keywords:

CuInS2, reactive sputtering, difraksi sinar-x

Abstract

FABRIKASI LAPISAN TIPIS CuInS2 MENGGUNAKAN METODA REACTIVE SPUTTERING. Lapisan tipis CuInS2 telah dipreparasi di atas Pyrex slide glass dengan menggunakan metoda reactive sputtering, dengan temperatur substrat 200-350°C dimana sebagai gas pereaksi digunakan CS2. Kecepatan pertumbuhannya adalah 0,5 — 1 pm/jam. Film kristal yang diperoleh mempunyai orientasi (112) sejajar dengan substrat.

Downloads

Download data is not yet available.

References

-

Downloads

Published

27-03-2025

How to Cite

Mohammad Mustafa Sarinanto. (2025). FABRIKASI LAPISAN TIPIS CuInS2 MENGGUNAKAN METODA REACTIVE SPUTTERING. Jurnal Sains Materi Indonesia, 1(2), 23–25. Retrieved from https://ejournal.brin.go.id/jsmi/article/view/6318

Issue

Vol. 1 No. 2 (2000): Jurnal Sains dan Materi Indonesia

Section

Articles

License

Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-ShareAlike 4.0 International License.