PENGARUH KANDUNGAN OKSIGEN FILM TIPIS TiO2-Co YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK MOCVD TERHADAP RESPON FEROMAGNETIKNYA
Keywords:
Film tipis TiO2-Co, MOCVD, feromagnetikAbstract
PENGARUH KANDUNGAN OKSIGEN FILM TIPIS TiO2-Co YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK MOCVD TERHADAP RESPON FEROMAGNETIKNYA. Penumbuhan film tipis TiO2-Co telah dilakukan di atas substrat Si dengan teknik MOCVD. Sifat feromagnetiknya diinvestigasi pada suhu ruang. Konsentrasi kandungan oksigen pada matriks kisi kristal film direkayasa melalui proses penganilan. Film tipis TiO2-Co sebelum dianil menunjukkan sifat feromagnetik pada suhu ruang. Karakteristik magnetik, Ms dan Hc bervariasi untuk setiap film. Nilai Ms bertambah dengan bertambahnya konsentrasi Co. Namun nilai momen magnetik rata-rata per atom Co menurun pada saat konsentrasi Co pada film bertambah. Film tipis TiO2.Co dianil pada tekanan 10-3 Torr dan suhu 450 oC selama 120 menit, dan menunjukkan suatu pengurangan konsentrasi O. Pengurangan konsentrasi O meningkatkan nilai Ms film. Sesuai dengan model teori yang diusulkan oleh peneliti lain, fenomena ini diduga disebabkan oleh hadirnya kekosongan O di sekitar ion Co pada matriks kisi TiO2-Co. Seluruh film tipis hasil penumbuhan memiliki karakter magnetik lembut sebagaimana diharapkan untuk aplikasi spintronika.Downloads
References
. S.A. CHAMBERS and Y.K.YOO, MRS Bulletin 28 (2003)706
. T. DIETL and H. OHNO, MRS Bulletin 28 (2003) 714
. W. PRELLIER, A. FOUCHET, B. MERCEY, CH. SIMON, and B. REVEAU, Appl. Phys. Lett., 82 (2003)3490
. M. VENKATESAN, C.B. FITZGERALD, J.G. LUNNEY, and J.M.D. COEY, Phys. Rev. Lett., 93 (2004)177206
. K. SATO and K.H. YOSIDA, Jpn. J. App. Phys., 39 (2) (2000) L555
. Y. MATSUMOTO, M. MURAKAMI, T. SHONO, T. HASEGAWA, T. FUKUMURA, M.
KAWASAKI, P. AHMET, T. CHIKYOW, S. KOSHIHARA and H. KOINUMA, Science, 291 (2001)854
. S.R. SHINDE, S.B. OGALE, J.S. HIGGINS, H. ZHENG, A.J. MILLIS, V.N. KULKARNI, R. RAMESH, R.L. GREENE, and T. VENKATESAN, Phys. Rev. Lett., 92 (2004) 166601-1
. N.H. HONG, J. SAKAI, W. PRELLIER, and A. HASSINI, Appl. Phys. Lett., 83 (2003) 3129
. J.Y. KIM, J.H. PARK, B.G. PARK, H.J. NOH, S.J. OH, J.S. YANG, D.H. KIM, S.D. BU, T.W. NOH, H.J. LIN, H.H. HSIEH, and C.T. CHEN, Phys. Rev. Lett., 90 (2003) 17401
. J.S. HIGGINS, S.R. SHINDE, S.B. OGALE, T. VENKATESAN, and R.L. GREENE, Phys. Rev. B, 69 (2004) 073201
. G.C. HAN, Y.H. WU, M. TAY, Z.B. GUO, K.B. LI, and C.T. CHONG, Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 272-276 (2004a) e1537
. G.C. HAN, Y.H. WU, M. TAY, Z.B. GUO, K.B. LI, and C.T. CHONG, Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 268 (2004b) 159
. N.H. HONG, J. SAKAI, W. PRELLIER, and A. RUYTER, J. Phys. D: Appl. Phys., 38 (2005) 816
. N.H. HONG, J. SAKAI, N. POIROT, and V. BRIZE, Phys. Rev. B, 73 (2006) 132404
. H. SARAGIH, P. ARIFIN, and M. BARMAWI, Growth of Oxide Semiconductor Ferromagnetic TiO2:Co Thin Films on Si(100) Substrates by MOCVD Method and Its Characterizations, 3rd International Conference on Materials for Advanced Technologies, Singapura (2005)
. H. SARAGIH, P. ARIFIN, dan M. BARMAWI, Jurnal Matematika dan Sains, 9 (4) (2004) 301
. H. SARAGIH, P. ARIFIN, dan M. BARMAWI, Jurnal Matematika dan Sains, 9 (3) (2004) 263
. W.T. GENG andA.K. KIM, Phys. Rev. B, 68 (2003) 125203
. M.S. PARK, S.K. KWON, and B. MIN, Phys. Rev. B, 65 (2002) 161201
. H. WENG, X. YANG, J. DONG, H. MUZISEKI, M. KAWASAKI, and Y. KAWAZOE, Phys. Rev. B, 69 (2004)125219
. V.I.ANISIMOV,M.A.KOROTIN,I.A.NEKRASOV, A.S.MYLNIKOVE,A.V.LUKOYANOV,J.L.WANG, and Z. ZENG, J. Phys.: Condens. Matter, 18 (2006) 1695
Downloads
Published
How to Cite
Issue
Section
License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-ShareAlike 4.0 International License.
