KARAKTERISTIK ARUS FILM TIPIS CeO2 DAN Nd-CeO2 YANG DIDEPOSISIKAN DI ATAS SUBSTRAT Si(100) MENGGUNAKAN TEKNIK PULSED-LASER ABLATION DEPOSITION (PLAD)

Authors

  • Iis Nurhasanah Jurusan Fisika FMIPA - UNDIP Jl. Prof. H. Soedarto, SH, Tembalang, Semarang 50275
  • Khairurrijal Khairurrijal K.K. Fisika Material Elektroni - ITB Jl. Ganesha No. 10, Bandung 40132
  • Mikrajudin Abdullah K.K. Fisika Material Elektroni - ITB Jl. Ganesha No. 10, Bandung 40132
  • Bambang Ariwahjoedi K.K. Fisika Material Elektroni - ITB Jl. Ganesha No. 10, Bandung 40132
  • Maman Budiman K.K. Fisika Material Elektroni - ITB Jl. Ganesha No. 10, Bandung 40132
  • Sukirno Sukirno K.K. Fisika Material Elektroni - ITB Jl. Ganesha No. 10, Bandung 40132

Keywords:

Dielektrik, Nd-CeO2, karakteristik I-V, SCLC, emisi Schottky

Abstract

KARAKTERISTIK ARUS FILM TIPIS CeO2 DAN Nd-CeO2 YANG DIDEPOSISIKAN DI ATAS SUBSTRAT Si(100) MENGGUNAKAN TEKNIK PULSED-LASER ABLATION DEPOSITION (PLAD). Karakteristik arus film tipis CeO2 dan Nd-CeO2 yang dideposisikan di atas substrat p-Si(100) menggunakan teknik Pulsed-Laser Ablation Deposition (PLAD) telah diamati melalui pengukuran arus-tegangan (I-V). Film tipis CeO2 memiliki rapat arus yang lebih besar 2 orde dari film tipis Nd-CeO2. Perbedaan rapat arus dapat dijelaskan berdasarkan perbedaan orientasi kristal, keadaan trap dan tinggi potensial penghalang. Mekanisme konduksi yang terjadi terutama adalah Space-Charge Limited Current (SCLC) pada tegangan rendah dan emisi Schottky pada tegangan tinggi. Diketahui pula bahwa potensial penghalang film tipis Nd-CeO2 lebih besar dari film tipis CeO2 dan memberikan kontribusi terhadap penurunan rapat arus.

Downloads

Download data is not yet available.

References

. G.D. WILK, R.M.WALLACE and J.M.ANTHONY, J. Appl. Phys., 89 (2001) 5243-5275

. A.A. DAKHEL, J. of Alloys and Compounds, 376 (2004)38-42

. J. LAPPALAINEN, D. KEK and H.L. TULLER, J.of Europ. Ceram. Soc., 24 (2004) 1459-1462

. J. KANG, X. LIU, G. LIAN, Z. ZHANG, G. XIONG, X. GUAN, R. HAN and Y. WANG, Microelectronics Eng., 56 (2001)191-194

. L. KIM, J. KIM, H, LEE, D. JUNG and Y. ROH, Jpn. J. Appl. Phys., 40 (2001) L564- L566

. Y. NISHIKAWA, N. TUKUSHIMA, N. YASUDA, K. NAKAYAMA and S. IKEGAWA, Jpn. J. Appl.Phys., 41 (2002) 2480-2483

. M.J.SCHONING,Y.G.MOURZINA,J.SCHUBERT, W. ZANDER, A. LEGIN, Y. G. VLASOV and H.LUTH, Electroanalysis, 13 (2001) 727-732

. V. CRACIUN, J. M. HOWARD, N. D. BASSIM and R. K. SINGH, Appl. Surf. Sci., 168 (2000) 123-126

. M.P.SINGH,C.S.THAKURK.SHALINI,N.BHAT and S. A. SHIVASSHANKAR, Appl. Phys. Lett., 83 (2003) 2889-2891

. A.R. CHAUDHURI A. LAHA and S. B. KRUPANIDHI, Solid State Commun. 133 (2005 ) 611-614

. T. L. CHEN, X. M. LI, W. B. WU, W. D. YU, X.D. GAO and X. ZHANG, Appl. Phys. Lett., 86 (2005)132902-1-132902-3.

. S.M. SZE, Physics of Semiconductor Devices, 2nd Ed.,Wiley, NewYork, (1981)

. A. O. ODUOR and R. D. GOULD, Thin Solid Film, 317 (1998) 409-412

. K. H. AHN, S. BAIK and S.S. KIM, J. Appl. Phys., 92 (2002) 2651-2654

. S.S. KIM and C. PARK, Appl. Phys. Lett., 75 (1999) 2554-2556

Downloads

Published

21-10-2026

How to Cite

Iis Nurhasanah, Khairurrijal Khairurrijal, Mikrajudin Abdullah, Bambang Ariwahjoedi, Maman Budiman, & Sukirno Sukirno. (2026). KARAKTERISTIK ARUS FILM TIPIS CeO2 DAN Nd-CeO2 YANG DIDEPOSISIKAN DI ATAS SUBSTRAT Si(100) MENGGUNAKAN TEKNIK PULSED-LASER ABLATION DEPOSITION (PLAD). Jurnal Sains Materi Indonesia, 7(4), 250–253. Retrieved from https://ejournal.brin.go.id/jsmi/article/view/6413

Issue

Vol. 7 No. 4 (2006): Edisi Khusus

Section

Articles

License

Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-ShareAlike 4.0 International License.