STUDI PENGARUH KONSENTRASI AL PADA STRUKTUR KRISTAL DAN MORFOLOGI FILM TIPIS AlxGa1-xN/Si(111) YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK PA-MOCVD
Keywords:
PA-MOCVD, Film tipis AlxGa1-xN, struktur kristal, morfologi permukaanAbstract
STUDI PENGARUH KONSENTRASI AL PADA STRUKTUR KRISTAL DAN MORFOLOGI FILM TIPIS AlxGa1-xN/Si(111) YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK PA-MOCVD. Film tipis AlxGa1-xN telah ditumbuhkan di atas substrat Si tipe-p dengan menggunakan teknik PA-MOCVD. Film tipis AlxGa1-xN ditumbuhkan dengan parameter-parameter: suhu substrat, laju alir N2, TMGa dan TMAl berturut-turut sebesar 700 oC; 90 sccm; 0,1 sccm dan 0,01sccm hingga 0,04 sccm. Film polikristal AlxGa1-xN yang ditumbuhkan mempunyai struktur heksagonal dengan bidang difraksi dominan (1010) dan (1011) hingga konsentrasi Al sebesar 6,78%. Diperoleh nilai kekasaran permukaan film dari pengukuran SPM pada range 11,44 nm sampai dengan 27,20 nm. Morfologi permukaan film semakin halus dengan peningkatan konsentrasi Al pada film. Penurunan nilai konstanta kisi hasil pengujian XRD terjadi karena kekosongan nitrogen pada film. Peningkatan konsentrasi Al pada film menyebabkan penurunan laju penumbuhan film tipis AlxGa1-xN yang terbentuk.
Downloads
References
. LIU, S.S, LI, P.W, LAN, W.H., and CHENG, Y.C., Materials Science and Engineering B, 126 (2006)33
. LU,Y., LIU, X., WANG, X., LU, D. C., LI, D., HAN, X., CONG, G., and WANG, Z., Crystal Growth, 263 (2004) 4
. JIANG, H. X., and LIN, J. Y., Optoelectronics Rev., 10 (4)(2002) 271
. BALMER, R. S., HILTON, K. P., NASH, K. J., UREN, M. J., WALLIS, D. J., LE, D., WELLS,A., MISSOUS, M., and MARTIN, T., Semicond. Sci. Tech., 19 (2004) L65
. ZHANG, B.S., WU, M., LIU, J. P., CHEN, J.,ZHU,J. J., SHEN, X. M., FENG, G., ZHAO, D. G., WANG,Y. T., YANG, H., and BOYD, A. R., Crystal Growth, 27 (2004) 316
. LIAW, H. M., VENUGOPAL, R., WAN, J., and MELLOCH, M. R., Solid State Electron, 45 (2001) 417
. BERNAT, J., JAVORKA, P., FOX,A., MARSO, M., and KORDOS, P., Elect. Mat., 33 (5) (2004) 436.
. GIL, B., Group III Nitride Semiconductor Compounds: Physics and Applications, Oxford Universuty Press, United State, (1998)
. SUGIANTO, SUPRIYANTO, E., WENDRI, N., SUTANTO, H., BUDIMAN, M., ARIFIN, P., dan BARMAWI, M., Jurnal Fisika HFI A, 5 (2002) 05861-05865
. JONES,A.C. and O’BRIEN, P., CVD of Compound Semiconductors: Precursors Synthesis, Development and Applications, VCH Verlagsgesellchaft mbH, Germany, (1997)
. SURYANARAYANA, C., and NORTON, M. G., X-Ray Diffraction A Practical Approach, Plenum Press, NewYork, (1998)
. LIOU, B.T., YEN, S.H., and KUO, Y.K., Applied Physics A, 00, (2005) 1
. SUTANTO, H., SUBAGIO,A., SUPRIYANTO E., ARIFIN, P., SUKIRNO, BUDIMAN, M., and BARMAWI, M., Optical Emission Spectroscopy of Active Nitrogen Species Induced by 2.45 GHz Microwave Plasma Source, Proceedings on The 8th International Conference on Quality in Research (QIR), 9-10 Agustus 2005, (2005) MM11-OMM-07
Downloads
Published
How to Cite
Issue
Section
License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-ShareAlike 4.0 International License.
