SIFAT FISIS FILM TIPIS TiO2 -Co YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK MOCVD

Authors

  • Horasdia Saragih Departemen Fisika, FMIPA - ITB Jl. Ganesha No. 10, Bandung dan Jurusan Fisika, Universitas Pattimura Ambon.
  • Ridwan Pusat Teknologi Bahan Industri Nuklir (PTBIN) - BATAN Kawasan Puspiptek Serpong15314, Tangerang.
  • Mujamilah Pusat Teknologi Bahan Industri Nuklir (PTBIN) - BATAN Kawasan Puspiptek Serpong15314, Tangerang.
  • Pepen Arifin Departemen Fisika, FMIPA - ITB Jl. Ganesha No. 10, Bandung.
  • Mohamad Barmawi Departemen Fisika, FMIPA - ITB Jl. Ganesha No. 10, Bandung.

DOI:

https://doi.org/10.17146/jsmi.2006.7.2.5002

Keywords:

Film tipis, TiO2 -Co, semikonduktor feromagnetik, Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD)

Abstract

SIFAT FISIS FILM TIPIS TiO2-Co YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK MOCVD. Film tipis TiO2-Co telah berhasil ditumbuhkan dengan teknik MOCVD dengan menggunakan prekursor titanium (IV) isopropoxide [Ti(OCH(CH3)2)4] 99,99%dan serbuk tris (2,2,6,6-tetramethyl-3, 5-heptanedionato) cobalt (III) [Co(TMHD)3] 99%. Parameter penumbuhan, seperti: suhu bubbler Ti(OCH(CH3)2)4 50oC, suhu substrat 450oC, tekanan bubbler Ti(OCH(CH3)2)4 260 Torr, laju aliran gas argon ke bubbler Ti(OCH(CH3)2)4 100 sccm, laju aliran gas O2 60 sccm dan tekanan total penumbuhan 2 Torr, ditemukan menjadi parameter penumbuhan yang paling optimal. Struktur kristal film sangat dipengaruhi oleh kehadiran dan konsentrasi atom Co. Ukuran butiran dan kekasaran permukaan film bertambah dengan bertambahnya kandungan Co. Kemampuan larut (solubility) atom Co ke dalam matrik kisi TiO2 teramati mulai bersaturasi pada kandungan Co sekitar 12%. Film tipis TiO2-Co menunjukkan sifat feromagnetisme pada suhu ruang. Kehadiran elemen magnetik Co tidak menghilangkan karakteristik semikonduktif TiO2. Namun, resistansi film bertambah dengan bertambahnya kandungan Co.

Downloads

Download data is not yet available.

References

. T. DIETL and H. OHNO, Ferromagnetic III-V and II-VI semiconductors, MRS Bulletin, 28 (2003) 714

. R. FLEDERLING, M. KEIM, G. REUSCHER,

W.OSSAU, G. SCHMIDT, A. WAAG and L.W.

MOLENKAMP, Injection and detection of a spinpolarized current in a light-emitting diode, Nature 402 (1999) 788

. S.A. CHAMBERS and Y.K. YOO, New materials

for spintronics, MRS Bulletin, 28 (2003) 706

. Y. OHNO, D.K. YOUNG, B. BESCHOTEN,

F. MATSUKURA, H. OHNO & D.D.

AWSCHALOM, Electrical spin injection in a

ferromagnetic semiconductor heterostructure,

Nature 402 (1999) 790

. S.J. PEARTON, C.R. ABERNATHY,

M.E. OVERBERG, G.T. THALER, D.P. NORTON,

N. THEODOROPOULOU, A.F. HEBARD, Y.D. PARK, F. REN, J. KIM and L.A. BOATNER, J. Appl. Phys. Lett., 93 (1) (2003)

. N.H. HONG, J. SAKAI, W. PRELLIER and A.

HASSINI, Appl. Phys. Lett., 79 (2003), 3129

. Y. MATSUMOTO, M. MURAKAMI, T. SHONO,

T. HASEGAWA, T. FUKUMURA, M. KAWASAKI, P. AHMET, T. CHIKYOW, S. KOSHIHARA and H. KOINUMA, Roomtemperature ferromagnetism in transparent transition metal-doped titanium dioxide, Science 291 (2001) 854

. S.A. CHAMBERS,APotential Role in Spintronics,

Materials Today, 34 (2002)

. J.S. YANG, D.H. KIM, S.D. BU, T.W. NOH,

S.H. PHARK, Z.G. KHIM, I.W. LYO and S.J. OH,

Surface structures of a Co-doped anatase TiO2

(001) film investigated by scanning tunneling

microscopy, Appl. Phys. Lett. 82 (2003) 3080

. J.S. HIGGINS, S.R. SHINDE, S.B. OGALE, T.

VENKATESAN and R.L. GREENE, Hall effect in

cobalt-doped TiO2-d, Phys. Rev. B, 69 (2004)

-1

Downloads

Published

28-02-2006

How to Cite

Horasdia Saragih, Ridwan, Mujamilah, Pepen Arifin, & Mohamad Barmawi. (2006). SIFAT FISIS FILM TIPIS TiO2 -Co YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK MOCVD. Jurnal Sains Materi Indonesia, 7(2), 61–67. https://doi.org/10.17146/jsmi.2006.7.2.5002

Issue

Vol. 7 No. 2 (2006): Jurnal Sains dan Materi Indonesia

Section

Articles

License

Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution-ShareAlike 4.0 International License.