FILM TIPIS RUTILE Co-TiO2 YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK MOCVD : PENGARUH SUHU ANIL TERHADAP STRUKTUR KRISTAL

Abstract

FILM TIPISRUTILE CO-TiO2 YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK MOCVD : PENGARUH SUHU ANIL TERHADAP STRUKTUR KRISTAL. Film tipis Co-TiO2 telah ditumbuhkan dengan teknik Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) di atas substrat Si(100) dengan menggunakan prekursor metalorganik titanium tetra-isopropoxide [Ti(OCH(CH3)2)4] dan tris (2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato) cobalt (III), Co(TMHD)3. Film tipis dengan orientasi bidang tunggalrutile (002) dihasilkan dengan menggunakan parameter penumbuhan sebagai berikut: suhu bubbler (Tb(Ti)) = 50°C, suhu substrat (Ts) = 450°C, tekanan bubbler (Pb(Ti)) = 260 Torr, laju aliran gas Ar(Ti) = 100 sccm, laju aliran gas O2 = 60 sccm, tekanan total penumbuhan (PTot) = 2 Torr dan laju aliran Ar(Co) ≤ 60 sccm. Film tipis dengan orientasi bidang tunggal ini dianil pada suhu 450°C, 500°C dan 550°C selama masing-masing 3 jam. Hasil penganilan dapat memperbaiki bidang kristal rutile (002). Perbaikan ini ditunjukkan oleh nilai FWHM puncak rutile (002) yang semakin kecil dengan bertambahnya nilai suhu penganilan. Penambahan bidang-bidang kristal tidak terjadi oleh penganilan sampai pada suhu 550°C. Hal ini menunjukkan bahwa film tipis Co-TiO2 memiliki kestabilan yang baik terhadap perubahan termal lingkungannya.

ABSTRACT

FILM TIPIS RUTILE CO-TiO2 YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK MOCVD : PENGARUH SUHU ANIL TERHADAP STRUKTUR KRISTAL. The Co-TiO2 thin films were grown by MOCVD technique on Si(100) substrates by using titanium tetra-isopropoxide [Ti(OCH(CH3)2)4] and tris (2,2,6,6-tetramethyl-3, 5-heptanedionato) cobalt (III), Co(TMHD)3 metal organic precursors. The thin films with single plane structure of rutile (002) were obtained by using growth parameters as follow: titanium bubbler temperature (Tb(Ti)) = 50°C, substrate temperature (Ts) = 450°C, titanium bubbler pressure (Pb(Ti)) = 260 Torr, flow rate of argon gas throught titanium bubbler Ar(Ti) = 100 sccm, flow rate of oxygen gas O2 = 60 sccm, total pressure of growth (PTot) = 2 Torr and flow rate of argon gas throught cobalt bubbler Ar(Co) ≤ 60 sccm. The thin films were anealed at temperature of 450°C, 500°C dan 550°C for 3 hour, respectively. The anealing process were could improve the crystal structure of rutile (002). The FWHM of rutile (002) planes were decreased with increasing of anealing temperature.